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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201010150094.2有效
发明人：高桥彻雄;大月高实 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置(20)包括：在主表面(1a)具有元件形成区域(14)的半导体衬底(1)；保护环(2b)、(2c)、(2d)、(2e)；保护环电极(7b)、(7c)、(7d)、(7e)；沟道截断区域(3)；沟道截断电极(7f)；以及在半导体衬底(1)上以绝缘状态配置的场电极(9a)、(9b)、(10)，场电极(9a)、(9b)、(10)包含位于半导体衬底(1)的主表面(1a)与保护环电极(7e)之间的第一部分(9a)和位于半导体衬底(1)的主表面(1a)与沟道截断电极(7f)之间的第二部分(9b)，在俯视图中，第一部分(9a)具有与保护环电极(7e)重叠的部分(91)，且在俯视图中，第二部分(9b)具有与沟道截断电极
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN201821992853.8有效
发明人：森川直树 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括：沟道截断电极(129)，其配置在衬底的终端区(400)；第一电极(127)，其与第二半导体区(109)电连接；绝缘膜(115)，其配置在沟道截断电极(129)与第一电极(127)之间的终端区(400第一电极(127)侧的第一导电体部(121)与第二导电体部(125)在高度方向上的重叠部分的宽度大于沟道截断电极侧的第一导电体部(121)与第二导电体部(125)在高度方向上的重叠部分的宽度。
导电体沟道截断电极半导体装置第一电极配置绝缘膜终端区本实用新型半导体区电连接衬底

[发明专利]半导体装置-CN202110592345.0在审
发明人：中村浩之;高野和豊 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：沟道截断电极(11)的外端部与监视电极(9)的内端部(10)的间隔为第1距离(D1)。扩散层(6)与第1耗尽化抑制区域(7)的间隔为第2距离(D2)。以沟道截断电极(11)与监视电极(9)之间的放电电压比扩散层(6)与半导体基板(5)的PN结部的雪崩击穿电压大的方式，设定第1距离(D1)以及第2距离(D2)。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010267857.1有效
发明人：富田幸太;松田升;浦秀幸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件具备第一导电型的第一半导体层、第一导电型的第二半导体层、第二导电型的第三半导体层、第一导电型的第四半导体层、第一沟槽、第二沟槽、绝缘膜、栅极电极、第一主电极、第二主电极、沟道截断层以及沟道截断电极沟道截断层隔着绝缘膜设置在第二沟槽内。沟道截断电极设置在第三半导体层以及第四半导体层的终端部上，将沟道截断层与终端部连接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200910206364.4有效
发明人：高桥徹雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在IGBT芯片的外围部分中，在场氧化膜(13)上的场板(14)与场板(15)之间，设置形成为包围IGBT单元的中间电位电极(20)，在中间电位电极(20)上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间电位施加单元提供作为发射极电极(10)的电位与沟道截断电极(12)的电位之间的电位的预定中间电位。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200810092636.8有效
发明人：高桥徹雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在IGBT芯片的外围部分中，在场氧化膜13上的场板14与场板15之间，设置形成为包围IGBT单元的中间电位电极20，在中间电位电极20上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间电位施加单元提供作为发射极电极10的电位与沟道截断电极12的电位之间的电位的预定中间电位。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200410101131.5有效
发明人：高桥徹雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在IGBT芯片的外围部分中，在场氧化膜13上的场板14与场板15之间，设置形成为包围IGBT单元的中间电位电极20，在中间电位电极20上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间电位施加单元提供作为发射极电极10的电位与沟道截断电极12的电位之间的电位的预定中间电位。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201580003622.2有效
发明人：木下明将;星保幸;原田祐一;大西泰彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：选择性地设置在n型碳化硅外延层(2)的相对于n⁺型碳化硅基板(1)侧的相反一侧的表面层的p⁺型区(3)；由在n型碳化硅外延层(2)上形成金属‑半导体接合的源电极型区(3)构成的元件结构；包围所述元件结构的周边部的p^‑型区(5a)和p^‑‑型区(5b)；隔着n型碳化硅外延层(2)包围该周边部的n⁺型沟道截断区的结构n⁺型沟道截断区具有杂质浓度高的第二个n⁺型沟道截断区(17b)和内部包括第二个n⁺型沟道截断区(17b)，且杂质浓度比第二个n⁺型沟道截断区(17b)低的第一个n⁺型沟道截断区(17a)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610066615.X有效
发明人：福本彰;渡边理绘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-04-13 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的半导体装置在通过形成于第一导电型的半导体层的元件分离绝缘膜区域区分的区域中，具有隔着栅绝缘膜形成的栅电极和第二导电型的源极区域以及漏极区域。而且，所述源极区域和漏极区域中的至少一方具有第一低浓度区域和高浓度区域，在所述元件分离绝缘膜的下侧形成的沟道截断区域与所述源极区域和漏极区域之间具有第二导电型的第二低浓度区域。另外，所述栅电极正下方的半导体层沿着栅电极向沟道截断区域侧突出，与该半导体层和沟道截断区域接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件-CN201210585132.6无效
发明人：芦田洋一;高桥茂树 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件包括：第一导电类型漂移层（2）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型集电极区（4）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型沟道层（6）、在所述沟道层（6）的表面部分中形成的第一导电类型发射极区（7）、以及在所述漂移层（2）中形成并定位于所述集电极区（4）和所述发射极区（7）之间的空穴截断区（14）。空穴从所述集电极区（4）注入所述漂移层（2）中，并且通过空穴路径向所述发射极区（7）流动。所述空穴截断区（14）阻挡空穴流并使所述空穴路径变窄以使空穴聚集。
具有横向绝缘双极晶体管半导体器件

[实用新型]高效电热水器-CN92235221.6无效
发明人：张清泉 -专利权人：张清泉
申请日： 1992-11-10 - 公布日： 1993-06-16 - 主分类号： F24H1/20 文献下载
摘要：本实用新型高效电热水器属于一种储水加热器，其应用平行板电场和接地放电原理，将内外电极置于储水槽中，外电极围置内电极，并在内外电极之外围置一金属外罩，将三至五块内电极板分别接于零线和火线上，通过加热显示和故障检测电路、漏电报警自动截断电源保护电路以及直流稳压电源来完成其加热过程。本实用新型能有效地避免相极漏电并彻底清除水中的残余电荷，即时发出报警信号并立即自动截断电源。其结构合理，制作简易。
高效电热水器

[发明专利]一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202310692137.7在审
发明人：郭涛;吴畅;曾宇磊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，包括：衬底、氮化镓沟道层、氧化镓势垒层、盖帽层；所述氮化镓沟道层与所述氧化镓势垒层之间形成二维电子气层；所述氮化镓沟道层两端分别设有截断所述二维电子气层的电极凹槽，所述电极凹槽内接触二维电子气层一侧填充有金属电极分别形成阴极和阳极，另一侧镂空设置空气桥；所述阴极和所述阳极均为肖特基电极。
一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]具有横向溢流排出通道的图像传感器-CN200980149790.7有效
发明人：埃德蒙·肯尼思·邦哈特;埃里克·戈登·史蒂文斯;洪·库克·多恩 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：使用双掩膜处理(1300、1500)制造横向溢流排出通道(610)和沟道截断(608)。每个横向溢流排出通道形成在各个沟道截断内。由于使用两个掩膜层，每个横向溢流排出通道的一个边缘与各个沟道截断的边缘对准。
具有横向溢流排出通道图像传感器

[实用新型]一种电子器件-CN201720643576.9有效
发明人： P·莫恩斯;郭嘉;A·萨利;刘春利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电子器件，所述电子器件可包括具有至少两个沟道层的HEMT。在实施方案中，下半导体层覆盖在下沟道层上，其中所述下半导体层具有为所述下半导体层的总金属含量的至少10％的铝含量。上半导体层覆盖在所述上沟道层上，其中与所述下半导体层相比，所述上半导体层具有更大的铝含量。在另一个实施方案中，电子器件可包括台阶式源电极和漏电极，使得可实现较低的接触电阻。在另外的实施方案中，不同沟道层之间的夹断电压或阈值电压之间的差值的绝对值大于1V，并且允许对于沟道层接通或切断电流而不影响另一个沟道层。
一种电子器件

[发明专利]液晶显示装置-CN200910126641.0有效
发明人：海东拓生;园田大介;新田秀和 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层，通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻，由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出，将该区域用于与n+Si层接触。由此，能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中，在poly-Si层之上形成沟道截断环层，使TFT的特性稳定。
液晶显示装置

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